A Samsung lançou a memória HBM4E de 48 GB ultrarrápida e o SSD PM1763 com interface PCIe 6.0.

A largura de banda da memória HBM4E chega a 4 TB/s

Na GTC 2026, a Samsung apresentou a memória HBM4E de nova geração, além de um SSD com interface PCIe Gen6 e módulos SOCAMM2 voltados para as atuais e futuras plataformas de IA da Nvidia. Entre os anúncios, a principal novidade foi justamente a HBM4E.

Segundo a Samsung, a HBM4E oferece velocidade de até 16 Gbit/s por contato, largura de banda de até 4 TB/s por pilha e capacidade de até 48 GB por pilha. Na prática, isso pode permitir que o sistema Rubin Ultra alcance teoricamente até 384 GB de memória HBM e até 64 TB/s de largura de banda total, um resultado bem superior ao da Rubin convencional.

Ao mesmo tempo, a Samsung informou que sua HBM4 já entrou em produção em massa e foi desenvolvida para a plataforma Vera Rubin da Nvidia. Essa memória entrega velocidade de 11,7 Gbit/s, com possibilidade de chegar a 13 Gbit/s.

A empresa também mostrou pela primeira vez a tecnologia de ligação híbrida de cobre (HCB), que deve viabilizar pilhas HBM com 16 ou mais camadas e reduzir a resistência térmica em mais de 20% em relação à tecnologia tradicional. Além das soluções de memória, a Samsung apresentou o módulo SOCAMM2, já em produção em massa, e o SSD PM1763 com interface PCIe 6.0, direcionado a servidores de IA. Fora do segmento de servidores, a Samsung também exibiu as memórias LPDDR5X e LPDDR6 para dispositivos móveis. A LPDDR5X alcança até 25 Gbit/s por contato e reduz o consumo de energia em até 15%, enquanto a LPDDR6 foi projetada para 30–35 Gbit/s e recebeu novos mecanismos de gerenciamento de energia.